[发明专利]一种CMOS稳压电路在审
| 申请号： | 201310611021.2 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103970171A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李志鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州贝克微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种CMOS稳压电路，提供了一个CMOS集成电路芯片包括常规高压部分和低压部分。在节点处，一个芯片上的电压调节器产生一个第二或伪衬底电位，这个电位被调节到等于N沟道和P沟道阀值的和，该电位低于VDD的电位。低压部分连接到VDD和第二衬底电位之间。因此，在制作CMOS时，不管阀值电压的变化，低电压部分总是工作在最佳电压。这就意味着，尽管集成电路包括一个低压部分，它可以工作在正常CMOS电压范围，好像它只包括高电压设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 稳压 电路 | ||
【主权项】：
一种CMOS稳压电路，其特征是：在一个CMOS集成电路芯片上，有P沟道和N沟道晶体管焊接到同一个物理衬底上，包含一个第一剖面构造的高电压和一个第二高设备密度剖面构造的低电压，该第一和第二剖面有一个共同的衬底连接到一个第一电源端口，且有一个共同的低电压节点，该第二剖面有一个高电压连接到一个第二电源端口，在低电压节点时，一个调节电路调节电位，该调节电路包括：产生一个第一电压，该电压等于P沟道晶体管和N沟道晶体管阀值和；在第一端口，减去一个第一电压，从而产生一个参考电位，该电位等于共同低电压节点电位；将该参考电位耦合到共同低电压节点，该耦合包括在共同低电压节点，减去该电位。
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