[发明专利]等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用其的检测装置有效
| 申请号： | 201310581584.1 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103558206A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 祁志美;逯丹凤;田中群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所;厦门大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用其的检测装置。该等离激元增强拉曼光谱检测芯片包括：承载件，由透明材料制备；以及合金薄膜，形成于承载件的一表面；其中，透过承载件的线偏振光在承载件与合金薄膜的界面发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜在合金薄膜的远离透明基板的表面激发等离激元，以实现拉曼光谱的增强。本发明利用合金薄膜取代常用的纯金薄膜和纯银薄膜制备等离激元增强拉曼光谱检测芯片，能够导致比纯金薄膜更高的拉曼增强因子和更低的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 离激元 增强 光谱 检测 芯片 应用 装置 | ||
【主权项】：
一种等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，包括：承载件，由透明材料制备；以及合金薄膜，形成于所述承载件的一表面；其中，透过所述承载件的线偏振光在所述承载件与所述合金薄膜的界面发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜在合金薄膜的远离所述透明基板的表面激发等离激元，以实现拉曼光谱的增强。
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