[发明专利]抗干扰低电压检测电路

摘要

本发明属于集成电路领域，一种抗干扰低电压检测电路，包括基准电压电路、电阻分压电路、逻辑组合电路、整形电路、恢复电压设定电路和电容充放电电路。电阻电压分压电路的电阻R1、R2、R3、R4依次首尾相连，起始端R1接输入电压VIN，末端R4接地，R1的阻值与R4的阻值相等。逻辑组合电路中的比较器正极与基准电压电路相连，负极电压由电阻分压电路分压产生。逻辑组合电路中的反相器1的输出用来控制电容的充放电。电容两端产生的电压经过整形电路后输出控制信号与此同时整形电路中的施密特整形电路的输出用来控制M1和M2的开启以便设定恢复电压。本发明具有抗干扰能力强，精度和准确度高，易于变动的优点。

主权项

一种抗干扰低电压检测电路，其特征在于，包括基准电压电路、电阻分压电路、逻辑组合电路、恢复电压设定电路、电容充放电电路、整形电路；所述基准电压电路所产生的基准电压接入比较器的正极；所述电阻电压分压电路，用来设定输入比较负极的电压；电阻电压分压电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，电阻R1、R2、R3、R4依次首尾相连，起始端R1接输入电压VIN，末端R4接地，R1的阻值与R4的阻值相等；所述逻辑组合电路包括两输入端和一输出端，所述输出端输入电容充放电电路；逻辑组合电路是由比较器和反相器1组成；所述恢复电压设定电路，根据施密特整形电路的输出来设定电阻电压分压电路的比值；恢复电压设定电路包括M1、M2；所述电容充放电电路，用来对电容充放电，输出端用来控制电容的充放电状态；电容充放电电路包括电阻R5、M3、M4、电容C1；所述整形电路包括一个输入端和一个输出端，该输出端输出检测信号；所述整形电路包括施密特整形电路、反相器2；其中，连接关系为：电阻R1的两端跨接着MOS管M1，M1的衬底和源极接VIN，漏极接在R1与R2之间，M1和M2的栅极一起接施密特整形电路的输出端；R4两端跨接着MOS管M2，漏极接在R3与R4之间，M2的衬底和源极接地；M1、M3为增强型PMOS管，M2、M4为增强型NMOS管；M2、M4的衬底和源极接地，M2的漏极接在R3与R4之间；M1的衬底和源极接检测电压VIN，M1的漏极接在R1和R2之间；M1和M2的栅极接在施密特整形电路的输出端；M4的漏极接R5，M3的衬底和源极接电源电压VDD，M3的漏极与R5相连，M3和M4的栅极都接在反相器1的输出并端。