[发明专利]一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310574812.2 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103558279B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 俞文杰;刘畅;赵清太;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅纳米线隧穿场效应管的具体步骤包括：提供包括顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底；刻蚀所述顶层硅形成硅纳米线沟道，在所述沟道表面沉积栅介质层；采用离子注入工艺对所述顶层硅进行离子注入，在所述沟道两端形成源极和漏极；在所述底层硅的背面形成背栅。本发明的基于硅纳米线的隧穿场效应管具有更加陡峭的亚阈值斜率，对沟道表面电荷的变化相应更加灵敏，从而使生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 线隧穿 场效应 晶体管 生物 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于，所述生物传感器的制备方法至少包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器，包括：1)提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、埋氧层和底层硅；2)刻蚀所述顶层硅形成硅纳米线沟道，并采用化学气相沉积工艺在所述沟道表面沉积栅介质层，表面修饰剂穿透所述栅介质层覆盖于所述沟道表面，所述栅介质层为HfO2；3)采用离子注入工艺对所述顶层硅进行离子注入，在所述沟道两端形成源极和漏极，所述漏极和源极的掺杂类型不同；4)所述底层硅的背面形成背栅；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。
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