[发明专利]一种用于研究负离子体系的光电子成像装置

摘要

本发明涉及一种用于研究负离子体系的光电子成像装置。其中，纳秒激光溅射负离子源单元用于产生高强度稳定的负离子束源，在光电子速度聚焦透镜单元区域与飞秒激光相互作用，利用电子成像探测器单元可以清晰的测量负离子体系的激发态电子的能谱与角度分布信息。同时，结合时间分辨技术可以获知上述信息的动力学特性。本发明结合超快时间分辨的光电子成像技术，不仅可以清晰的获取所需要的单一成份的负离子体系，更可以得到该物质键能等微观信息，同时还可以实时的观测激发态的超快动力学信息。

主权项

一种用于研究负离子体系的光电子成像装置，其特征在于：包括：（a）飞秒激光系统（1）产生用于对负离子进行研究所使用的超短激光脉冲基频光；（b）光路变换单元（2）对上述飞秒激光系统（1）所产生的超短激光脉冲基频光进行光参量变换，得到不同波长的超短激光脉冲；（c）纳秒激光溅射负离子源（3）产生原子负离子以及团簇负离子；（d）真空系统（4）采用三级真空系统；（e）离子束加速与准直单元（5）对上述纳秒激光溅射负离子源（3）所产生的原子负离子以及团簇负离子进行加速以及整形，形成负离子束源；（f）离子质量选取单元（6）根据上述负离子束源的成分，筛选出纳秒激光溅射负离子源(3)产生的单一的负离子成分；（g）光电子速度聚焦电极单元（7）将上述筛选出单一的负离子束源光脱附后所产生的电子进行速度聚焦；（h）外磁场屏蔽单元（8）屏蔽外界电磁场对电子在无场飞行过程中造成的干扰；（i）电子成像探测器单元（9）对经过速度聚焦后的电子进行信号放大并进行成像；（j）图像采集单元（10）对上述电子成像探测器单元（9）所成的图像进行采集。