[发明专利]半导体存储装置以及利用其控制外部电压的方法有效
| 申请号： | 201310516040.7 | 申请日： | 2013-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104123968B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 金渊郁;朴宰范 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种根据本实施例的半导体存储装置包括：外部连接端子，所述外部连接端子被配置成供应外部电压；熔丝单元，所述熔丝单元被配置成执行熔丝断裂操作；以及中断电路单元，所述中断电路单元被配置成响应于测试信号而判定外部连接端子是否与熔丝单元连接。 | ||
| 搜索关键词： | 外部连接端子 熔丝单元 半导体存储装置 外部电压 中断电路 配置 测试信号 熔丝 判定 断裂 响应 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：外部连接端子，所述外部连接端子被配置成供应外部电压；熔丝单元，所述熔丝单元被配置成执行熔丝断裂操作；以及中断电路单元，所述中断电路单元被配置成响应于测试信号而判定所述外部连接端子是否与所述熔丝单元连接，其中，所述中断电路单元包括：电压泵浦单元，所述电压泵浦单元被配置成泵浦内部电压以产生泵浦电压；控制单元，所述控制单元被配置成：被施加所述泵浦电压，并且响应于所述测试信号而输出所述泵浦电压或者所述内部电压；以及开关单元，所述开关单元被配置成响应于所述泵浦电压或者所述内部电压以判定所述外部连接端子是否与所述熔丝单元连接。
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