[发明专利]射频信号放大电路

摘要

本发明涉及射频信号放大电路，其包括主MOS变容管电容、辅助MOS变容管电容、主晶体管、辅助晶体管、输出单元、第一电阻、第二电阻和第三电阻。本发明利用MOS变容管电容（MOS Varactor）容值随电容两端的电压变化的特性，在多重栅晶体管法（MGTR）的基础上，使用MOS变容管电容作为信号耦合电容，代替原有的线性电容，改善信号耦合过程的线性，使整个射频信号放大电路的线性得到优化，同时减少耦合电容所需的芯片面积。

主权项

射频信号放大电路，其特征在于，包括一主MOS变容管电容、一辅助MOS变容管电容、一主晶体管、一辅助晶体管、一输出单元、一第一电阻、一第二电阻和一第三电阻；主MOS变容管电容的栅极和辅助MOS变容管电容的栅极连接在一起并作为射频信号输入端，所述射频信号输入端通过第一电阻接入一工作电压；主MOS变容管电容的源极和漏极连接在一起并作为主SD端，辅助MOS变容管电容的源极和漏极连接在一起并作为辅助SD端；主晶体管和辅助晶体管的源极均接地，主晶体管的漏极和辅助晶体管的漏极连接在一起，主晶体管的栅极与主SD端连接，辅助晶体管的栅极与辅助SD端连接；主晶体管的栅极通过第二电阻接入一主偏置电压，辅助晶体管的栅极通过第三电阻接入一辅助偏置电压；主晶体管的漏极与所述输出单元的输入端连接；所述输出单元的供电端接入一电源电压；其中，所述工作电压，用于使所述主MOS变容管电容的栅源电压大于零且小于其积累区电压，以及使所述辅助MOS变容管电容的栅源电压大于零且小于其积累区电压。