[发明专利]一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法

摘要

本发明公开了一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，通过1)、外植体获取及脱毒；2)、外植体诱导培养；3)、丛生芽培养；4)、生根培养；5)、炼苗；6)、大田培育，将实验室克隆技术与大棚训练方法技术结合繁殖吉赛拉砧木，解决了以往繁殖速度慢，且砧木品种差的问题，繁育速度相比扦插繁育提高30倍以上，技术先进，节省时间，一年可繁育10——100万株生产苗木，有很高的推广价值和应用价值。

主权项

一种大樱桃吉塞拉快速繁育方法，其特征在于，包括如下步骤： 1)、外植体获取及脱毒： 外植体要通过材料脱毒、杀菌消毒后获取无菌茎尖； 2)、外植体诱导培养： 外植体诱导培养基：用MS+6‑BA0.5mg／L+ZT0.4mg／L+IBA0.1mg／L，对“吉塞拉”外植体诱导培养30d，获得新生芽体； 3)、丛生芽增殖培养： 选择用MS为基本培养基，用4种激素6‑BA(6‑苄氨基嘌呤)、ZT(玉米素)、KT(激动素)、IBA(吲哚丁酸)组合，对“吉塞拉”外植体诱导培养25d； 4)、生根培养： 采用：1／4MS+6‑BA0.3mg／L+IBA0.5mg／L培养基，黑暗处理15d进行生根培养，生根效果达到5根／株左右； 5)、炼苗技术 炼苗基质及配方选用：草粪：园土=1：1配比，在大棚对炼苗环境(温度、湿度)全程控制7d；炼苗温度保持在18℃～26℃之间，炼苗湿度保持在80％。成活率达90％以上； 6)、大田培育 通过炼苗成活的幼苗在移入大田，在自然环境中培育2——3月。