[发明专利]一种室温磁电阻增强型钙钛矿材料及其制备工艺无效
| 申请号： | 201310453475.1 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103539454A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 何军辉;陈亮;王玉 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 许必元 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种室温磁电阻增强型钙钛矿材料及其制备工艺，是含有氧化镧、碳酸锶、二氧化锰和氧化钼的钙钛矿材料。以平均粒径为0.05-50μm纯度为4N的La2O3，SrCO3，MnO2，MoO3粉体作为原料，采用传统固相反应法，在1150-1250℃下烧结22-26h制成。本发明制造工艺简单，成本低廉，在磁场强度不大的情况下就能够诱导出明显的庞磁电阻效应，其居里温度受掺杂的影响不大，在室温附近(T=293K)时磁电阻值随Mo掺杂量的增加有很大的增强效应。La0.67Sr0.33Mn0.96Mo0.04O3样品的磁电阻值达到5.6%，相比未掺杂时的样品，此时的磁电阻增强效果大于50%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 磁电 增强 型钙钛矿 材料 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1. 一种钙钛矿锰氧化物材料，其特征是，所述钙钛矿锰氧化物材料的化学式为La0.67Sr0.33Mn1-xMoxO3，其中0＜Mo掺杂量X≤0.06， La0.67Sr0.33Mn1-xMoxO3钙钛矿材料是单相钙钛矿结构，La0.67Sr0.33Mn1-xMoxO3钙钛矿材料的空间群为![]()
, No.167，La(Sr)在6a(0, 0, 1/4)，Mn(Mo)在6b(0, 0, 0)，O 在18e(x, 0, 1/4)位置。
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