[发明专利]一种基于最小二乘支持向量机的晶体谐振器贮存寿命预测方法有效

专利信息
申请号: 201310446379.4 申请日: 2013-09-26
公开(公告)号: CN103472340A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 高成;崔嵬;王香芬;张承 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 代理人: 王顺荣;唐爱华
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于最小二乘支持向量机的晶体谐振器贮存寿命预测方法,该方法有四大步骤:步骤一:分析晶体谐振器在长期贮存过程中退化机理,获得主要退化机理对参数变化的影响,确定晶体谐振器的退化敏感参数;步骤二:设计并开展晶体谐振器加速贮存退化试验,对选定的敏感参数进行测量,定期采集试验数据;步骤三:利用最小二乘支持向量机理论处理试验数据,建立在不同加速应力水平下该敏感参数的退化模型;步骤四:建立正常应力下的晶体谐振器参数退化模型,确定失效判据,预测晶体谐振器的贮存寿命。本发明解决了在预测晶体谐振器贮存寿命时遇到的小样本、非线性等实际问题,简化了计算的复杂性,提高了收敛速度和精度,具有较高的推广价值。
搜索关键词: 一种 基于 最小 支持 向量 晶体 谐振器 贮存 寿命 预测 方法
【主权项】:
一种基于最小二乘支持向量机的晶体谐振器贮存寿命预测方法,其特征在于:该方法具体步骤如下:步骤一:分析晶体谐振器在长期贮存过程中退化机理,获得主要退化机理对参数变化的影响,确定晶体谐振器的退化敏感参数;步骤二:设计并开展晶体谐振器加速贮存退化试验,对选定的敏感参数进行测量,定期采集试验数据;步骤三:利用最小二乘支持向量机理论处理试验数据,建立在不同加速应力水平下该敏感参数的退化模型;步骤四:建立正常应力下的晶体谐振器参数退化模型,确定失效判据,预测晶体谐振器的贮存寿命。
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