[发明专利]一种去除原子力纳米探针针尖表面氧化层的方法无效
| 申请号： | 201310432370.8 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103487603A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李剑;陈强;唐涌耀;黄维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01Q60/40 | 分类号： | G01Q60/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除原子力纳米探针针尖表面氧化层的方法，包括：第一步骤，将已氧化的AFP探针针尖朝上贴在FIB样品座上；第二步骤，将FIB样品座导入到FIB真空腔中，通过调整样品座角度让针尖正对离子束方向，随后执行E-beam与I-beam共焦，然后将样品座倾斜一个倾斜角度，保证I-beam与探针针尖基本垂直；第三步骤，用拉小窗口的方式打开I-beam，使得将离子束的扫描区域从全屏扫描更改为作为所设定的部分区域扫描的探针针尖部分，以对探针针尖进行连续扫描，并且在利用E-beam观测出探针针尖表面氧化层被去除之后，停止I-beam的扫描。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 原子 纳米 探针 针尖 表面 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种去除原子力纳米探针针尖表面氧化层的方法，其特征在于包括：第一步骤，将已氧化的AFP探针针尖朝上贴在FIB样品座上；第二步骤，将FIB样品座导入到FIB真空腔中，通过调整样品座角度让针尖正对离子束方向，随后执行E‑beam与I‑beam共焦，然后将样品座倾斜一个倾斜角度，保证I‑beam与探针针尖基本垂直；第三步骤，用拉小窗口的方式打开I‑beam，使得将离子束的扫描区域从全屏扫描更改为作为所设定的部分区域扫描的探针针尖部分，以对探针针尖进行连续扫描，并且在利用E‑beam观测出探针针尖表面氧化层被去除之后，停止I‑beam的扫描。
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