[发明专利]铁电薄膜的制造方法及复合电子组件的制造方法在审
| 申请号： | 201310421569.0 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103833372A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 饭田慎太郎;樱井英章 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种铁电薄膜的制造方法及复合电子组件的制造方法，所述铁电薄膜的制造方法不设置晶种层或缓冲层，就能够简便地制造结晶取向被择优控制为（100）面的铁电薄膜。通过向具有晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极的表面照射常压等离子体之后，涂布铁电薄膜形成用组合物，进行加热使其结晶，从而在下部电极上制造铁电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 复合 电子 组件 | ||
【主权项】：
一种铁电薄膜的制造方法，在具有晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的所述下部电极上，涂布铁电薄膜形成用组合物并进行预烧结之后，进行烧成使其结晶，从而在所述下部电极上制造铁电薄膜，该铁电薄膜的制造方法的特征在于，向涂布所述铁电薄膜形成用组合物之前的所述下部电极的表面照射常压等离子体，在所述下部电极上涂布所述铁电薄膜形成用组合物，进行预烧结及烧成来形成结晶取向被择优控制为（100）面的铁电薄膜。
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