[发明专利]均衡器电路和包括均衡器电路的接收器电路有效
| 申请号： | 201310415354.8 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104113498B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 宋泽相 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H04L25/03 | 分类号： | H04L25/03 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种均衡器电路包括：输入端子；上拉驱动单元，所述上拉驱动单元适用于基于输入端子的信号来上拉驱动输出端子；下拉驱动单元，所述下拉驱动单元适用于下拉驱动输出端子；以及电容器，所述电容器连接在输入端子和输出端子之间。 | ||
| 搜索关键词： | 均衡器 电路 包括 接收器 | ||
【主权项】：
1.一种均衡器电路，包括：输入端子；上拉驱动单元，所述上拉驱动单元适用于基于所述输入端子的信号来上拉驱动输出端子；下拉驱动单元，所述下拉驱动单元适用于下拉驱动所述输出端子；以及电容器，所述电容器连接在所述输入端子和所述输出端子之间，其中，所述上拉驱动单元包括：多个PMOS晶体管，所述多个PMOS晶体管的源极与上拉电压端子连接，并且所述多个PMOS晶体管的栅极适用于接收第一码的相应比特；多个第一NMOS晶体管，所述多个第一NMOS晶体管的相应漏极与所述PMOS晶体管的相应漏极连接，并且所述多个第一NMOS晶体管的栅极适用于接收所述输入端子的信号；以及多个上拉电阻器，所述多个上拉电阻器分别连接在所述第一NMOS晶体管的相应源极和所述输出端子之间。
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