[发明专利]一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器无效
| 申请号： | 201310414627.7 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103455076A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李景虎;张远燚;刘德佳 | 申请（专利权）人： | 福建一丁芯光通信科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张宏威 |
| 地址： | 350003 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器，属于集成电路领域，本发明为解决LDO稳压器降落电压和效率与高频电源抑制之间的矛盾。本发明包括误差放大器A1、电阻R1、电阻R2、滤波电阻RF、滤波电容CF、第一native NMOS晶体管MNA1和第二native NMOS晶体管MNA2；A1的同相输入端连接参考电压的输出端，A1的反相输入端连接反馈节点，电阻R1和电阻R2的公共节点作为反馈节点VF1；误差放大器的输出端连接MNA1的栅极；MNA1的漏极连接电源VDD，MNA1的源极连接电阻R1的一端；电阻R1的另一端连接电阻R2的一端；MNA2的源极为LDO稳压器输出端VOUT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 native nmos 晶体管 电源 抑制 ldo 稳压器 | ||
【主权项】：
一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器，其特征在于，它包括误差放大器A1、电阻R1、电阻R2、滤波电阻RF、滤波电容CF、第一native NMOS晶体管MNA1和第二native NMOS晶体管MNA2；误差放大器A1的同相输入端连接参考电压VREF的输出端，误差放大器A1的反相输入端连接反馈节点VF1，电阻R1和电阻R2的公共节点作为反馈节点VF1；误差放大器A1的输出端VO_A1连接第一native NMOS晶体管MNA1的栅极；第一native NMOS晶体管MNA1的漏极连接电源VDD，第一native NMOS晶体管MNA1的源极连接电阻R1的一端；电阻R1的另一端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接GND；误差放大器A1的输出端VO_A1还连接滤波电阻RF的一端，滤波电阻RF的另一端连接滤波电容CF的一端，滤波电容CF的另一端连接GND；滤波电阻RF和滤波电容CF的公共端VF连接第二native NMOS晶体管MNA2的栅极，第二native NMOS晶体管MNA2的漏极连接电源VDD；第二native NMOS晶体管MNA2的源极为LDO稳压器输出端VOUT。
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