[发明专利]印制电路板镀金的蚀刻工艺无效
申请号: | 201310406939.3 | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN104419933A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 龚伶 | 申请(专利权)人: | 龚伶 |
主分类号: | C23F1/34 | 分类号: | C23F1/34;C23F1/02;C23G1/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了印制电路板镀金的蚀刻工艺,包括以下步骤:步骤一、采用质量百分比浓度为2%~4%的氢氧化钠溶液将耐镀油墨去除,其中,氢氧化钠溶液的温度控制在40~45℃;步骤二、采用蚀刻液去除化学镀镍后多余的铜层,其中,蚀刻液的配方为氯化铜40~60g、磷酸铵20~30g、氨水330~340ml、氯化铵40~60g及钼酸铵8~12g,蚀刻液的温度为43~57℃。本发明中的蚀刻液的成分取材便捷、成本低,配制蚀刻液便于实现,采用本发明来对未被镍层覆盖的铜进行蚀刻,效率高,且不会对镍层造成损坏。 | ||
搜索关键词: | 印制 电路板 镀金 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】:
印制电路板镀金的蚀刻工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、采用质量百分比浓度为2 %~4%的氢氧化钠溶液将耐镀油墨去除,其中,氢氧化钠溶液的温度控制在40~45℃;步骤二、采用蚀刻液去除化学镀镍后多余的铜层,其中,蚀刻液的配方为氯化铜40~60g、磷酸铵20~30g、氨水330~340ml、氯化铵40~60g及钼酸铵8~12g,蚀刻液的温度为43~57℃。
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