[发明专利]一种高活性立方块氯化银微米晶体及其电化学制备方法有效
| 申请号： | 201310400037.9 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103466684A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 秦晓燕;娄在祝;黄柏标;张晓阳 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01G5/02 | 分类号： | C01G5/02;C25B1/26;B01J27/10 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 崔苗苗 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高活性立方块氯化银微米晶体及其电化学制备方法，它为纯立方相氯化银，具有{100}面暴露的晶面结构，将硫酸钠加入到一定量的去离子水中，搅拌使固体溶解，然后加氯化钠，搅拌使混合均匀；将配制的混合溶液转移到H-型电化学反应池中，反应池的一端加入银片并连接恒电位电源的阳极，另一端加入铂片并连接恒电位电源的阴极；调节电源输出的电压值，使银片氧化产生银离子，在室温下反应30-40分钟，将银片电极附近的反应池底部的沉淀过滤洗涤，在恒温箱中干燥得到立方块氯化银微米晶体。在可见光下立方块氯化银微米晶体形成的光催化剂的活性相对较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 活性 立方 氯化银 微米 晶体 及其 电化学 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高活性立方块氯化银微米晶体，其特征是，它为纯立方相氯化银，具有{100}面暴露的晶面结构。
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