[发明专利]布局图形的检查方法有效
| 申请号： | 201310398625.3 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104423143B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王辉;李天慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种布局图形的检查方法，包括：提供目标图形和光学透镜系统，以及根据目标图形和光学透镜系统设计的原始光掩模图形；获取所述原始光掩模图形和光学透镜参数，根据光学透镜系统参数对所述原始光掩模图形进行第一模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的空间光强；获取光刻参数，根据光刻参数对所述空间光强进行第二模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的光刻光强；逐一比较所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获取两者的区别值，当所述区别值大于第一预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。提高了找到的潜在的缺陷点的准确率，因此，可得到较为准确的初步符合要求的设计光掩模图形。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模图形 原始光 光刻 光学透镜系统 光强 布局图形 目标图形 空间光 模型化 光学透镜参数 光掩模图形 所述空间 预定值时 潜在的 缺陷点 准确率 检查 | ||
【主权项】：
1.一种布局图形的检查方法，其特征在于，包括：提供目标图形和光学透镜系统，以及根据目标图形和光学透镜系统设计的原始光掩模图形；获取所述原始光掩模图形和光学透镜参数，根据光学透镜系统参数对所述原始光掩模图形进行第一模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的空间光强；获取光刻参数，根据光刻参数对所述空间光强进行第二模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的光刻光强；逐一比较所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获取两者的区别值，当所述区别值大于第一预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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