[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件，其包括：各自耦接至电感性或电容性负载的一端侧和另一端侧的第一输出端子及第二输出端子，耦接于第一电压与第一输出端子之间的第一MOS晶体管，耦接于第二电压与第一输出端子之间的第二MOS晶体管，耦接于第一电压与第二输出端子之间的第三MOS晶体管，耦接于第二电压与第二输出端子之间的第四MOS晶体管，以及驱动第一MOS晶体管至第四MOS晶体管以便控制电感性或电容性负载的驱动电路，并且还包括用于在停滞期内旁路形成于MOS晶体管内的PN结的寄生二极管的正向电流的第一旁路晶体管及第二旁路晶体管。

主权项

一种半导体器件，包括：各自耦接至电感性或电容性负载的一端侧和另一端侧的第一输出端子及第二输出端子；耦接于第一电压与所述第一输出端子之间的第一MOS晶体管；耦接于第二电压与所述第一输出端子之间的第二MOS晶体管；耦接于所述第一电压与所述第二输出端子之间的第三MOS晶体管；耦接于所述第二电压与所述第二输出端子之间的第四MOS晶体管；以及驱动所述第一MOS晶体管至所述第四MOS晶体管以便控制所述电感性或电容性负载的驱动电路，其中所述驱动电路驱动所述第一MOS晶体管至所述第四MOS晶体管，同时提供停滞期以使得所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管或者所述第三MOS晶体管及所述第四MOS晶体管彼此不导通，并且其中所述半导体器件还包括第一旁路晶体管及第二旁路晶体管，所述第一旁路晶体管及所述第二旁路晶体管各自被设置为对应于所述第一输出端子及所述第二输出端子，并且用于在所述停滞期内旁路形成于所述MOS晶体管内的PN结的寄生二极管的正向电流。