[发明专利]单级PFC电路MOS管过压保护电路有效
申请号: | 201310375786.0 | 申请日: | 2013-08-26 |
公开(公告)号: | CN104426137B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 罗羽;王瑜 | 申请(专利权)人: | 深圳市朗科智能电气股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/12 | 分类号: | H02H7/12 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人: | 黄冠华 |
地址: | 518108 广东省深圳市宝安区石岩街道上*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提出了一种单级PFC电路MOS管过压保护电路,包括比较器、受控电子开关、采样电路、用于与PFC电路的滤波电容正极连接的采样输入端以及用于与PFC电路反激电路主MOS管栅极连接的保护输出端;比较器的第一输入端通过采样电路与采样输入端连接,比较器的第二输入端输入基准比较电压,比较器的输出端与受控电子开关的控制端连接;受控电子开关的阴极接地,阳极与保护输出端连接。本发明的单级PFC电路MOS管过压保护电路能检测PFC电路整流后的异常高压情况,及时断开PFC电路中反激电路的主MOS管,有效防止高压击穿,提高电路稳定性能,同时能使主MOS管无需采用昂贵的高耐压管,大大降低电路成本。 | ||
搜索关键词: | pfc 电路 mos 保护 | ||
【主权项】:
单级PFC电路MOS管过压保护电路,其特征在于:包括单极PFC电路、比较器、受控电子开关、采样电路、用于与PFC电路的滤波电容正极连接的采样输入端以及用于与PFC电路反激电路主MOS管栅极连接的保护输出端;比较器的第一输入端通过采样电路与采样输入端连接,比较器的第二输入端输入基准比较电压,比较器的输出端与受控电子开关的控制端连接;受控电子开关的阴极接地,阳极与保护输出端连接;所述单极PFC电路包括滤波整流电路、驱动输出电路以及反激电路,所述滤波整流电路的滤波电容C5连接至所述采样输入端,所述反激电路的MOS管Q3连接至保护输出端;所述受控电子开关为MOS开关管,所述阴极为MOS开关管的源极,所述阳极为MOS开关管的漏极,所述控制端为MOS开关管的栅极;所述比较器的正输入端通过采样电路与采样输入端连接,比较器的负输入端输入基准比较电压;所述采样电路包括第一电阻、第二电阻和输入电阻,第一电阻的一端与采样输入端连接,第一电阻的另一端与第二电阻的一端连接,第二电阻的另一端接地;第一电阻与第二电阻的节点通过输入电阻与比较器的正输入端连接;比较器的输出端还与二极管D1的阳极连接,二极管D1的阴极通过反馈电阻与比较器的正输入端连接;采样输入端还依次通过第三电阻、第二输入电阻与比较器的负输入端连接,第三电阻与第二输入电阻的节点与三端稳压管的阴极连接,三端稳压管的阴极还与参考极连接,三端稳压管的阳极接地;所述比较器为高速比较器。
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