[发明专利]用于STT MRAM的对称差分感测方法和系统在审
申请号: | 201310371806.7 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN103632707A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | W.阿勒斯;M.杰弗雷莫夫;D.米勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;刘春元 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 发明涉及用于读取存储单元,尤其是STTMRAM的方法和系统。根据本发明的一个方面,一种用于读取存储单元的系统包括感测通路和逆感测通路。提供经由所述感测通路的参考电流,并通过所述感测通路中的第一采样元件对所述参考电流进行采样,以及提供经由所述逆感测通路的来自存储单元的单元电流,并通过所述逆感测通路中的第二采样元件对所述单元电流进行采样。接下来,使所述存储单元与所述逆感测通路断开,并提供经由所述感测通路的单元电流,并且使所述参考源与所述感测通路断开,并提供经由所述逆感测通路的参考电流。然后,通过相对采样的参考电流和采样的单元电流工作的单元电流和参考电流来确定输出电平。 | ||
搜索关键词: | 用于 stt mram 对称 差分感测 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种用于读取存储单元的方法,所述方法包括以下步骤:提供用于对参考电流进行采样的第一采样元件;提供用于对来自所述存储单元的单元电流进行采样的第二采样元件;使用所述第一采样元件测量来自所述存储单元的单元电流;以及使用所述第二采样元件测量所述参考电流。
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