[发明专利]一种制造气体敏感纳米薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201310331751.7 申请日: 2013-08-02
公开(公告)号: CN103412001A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 杨亚杰;张鲁宁;杨文耀;李金龙;徐建华;蒋亚东 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00;C23C24/00;C08G61/12;C08G73/02;C08G73/06
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 谭新民
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明实施例公开了一种制造气体敏感纳米薄膜的方法,包括:将氧化石墨烯分散于第一溶剂中,获得氧化石墨烯分散溶液;将铁基氧化剂溶于第二溶剂中,获得铁基氧化剂溶液;以铁基氧化剂溶液为LB成膜法的亚相,用氧化石墨烯分散溶液在气敏器件上形成氧化石墨烯薄膜;将氧化石墨烯薄膜置于导电聚合物单体气氛中进行聚合反应,然后进行还原处理,获得所述气体敏感纳米薄膜。根据本发明的方法制造的气体敏感纳米薄膜的厚度处于纳米级,由导电聚合物与氧化石墨烯复合而成,并且具有多层膜结构,具有良好的气敏性能。
搜索关键词: 一种 制造 气体 敏感 纳米 薄膜 方法
【主权项】:
一种制造气体敏感纳米薄膜的方法,其特征在于,包括:将氧化石墨烯分散于第一溶剂中,获得氧化石墨烯分散溶液;将铁基氧化剂溶于超纯水中,获得铁基氧化剂溶液;使用LB成膜法,以所述铁基氧化剂溶液为所述LB成膜法的亚相,用所述氧化石墨烯分散溶液在气敏器件上形成氧化石墨烯‑铁基氧化剂复合薄膜;将所述氧化石墨烯‑铁基氧化剂复合薄膜置于导电聚合物单体气氛中进行聚合反应,获得氧化石墨烯/导电聚合物复合薄膜;对所述氧化石墨烯/导电聚合物复合薄膜进行还原处理,获得所述气体敏感纳米薄膜。
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