[发明专利]一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310324918.7 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103395842A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王秀丽;蔡国发;周鼎;谷长栋;涂江平 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G41/02 | 分类号： | C01G41/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法，包括：将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，加水配制成含钨浓度为1～5mol/L的过氧化钨酸溶液；将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上，得到覆盖有晶种层的导电基底；将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将覆盖有晶种层的导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150～250℃反应8～16h，取出后再在350～450℃热处理1～3h。该制备方法制备的薄膜具有纳米团簇、纳米树或纳米线阵列形貌，电连接性好，薄膜具有光谱调节范围大、响应速度快和循环寿命长的优点，同时，制备工艺控制方便，制造成本较低，可以大面积生产，易于实现工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 纳米 阵列 变色 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，加水配制成含钨浓度为1～5mol/L的过氧化钨酸溶液；2）将步骤1）中的过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上，得到覆盖有晶种层的导电基底；3）将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将步骤2）中的覆盖有晶种层的导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150℃～250℃反应8h～16h，取出后再在350℃～450℃热处理1h～3h，得到三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310324918.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
