[发明专利]一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法有效
| 申请号： | 201310320197.2 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103353630A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王定理;傅力;李林松;张登巍;吕军 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/136;G02B6/122;G02F1/035;G03F7/20 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 许莲英 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法，首先以SiO2作为掩模，用退火质子交换制作光波导；接着利用SiO2掩模作为标记直接将光波导和电极图形进行自对准套刻；随后采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法去除电极区的SiO2掩模；最后利用溅射以及金属剥离技术制作出电极图形并去除剩余SiO2掩模；采用本发明方法可以在铌酸锂光波导上形成电极图形，保证了光波导与电极套刻准确，电极边缘光滑，缺陷少，成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂光 波导 器件 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法，包括下列步骤：步骤1：在铌酸锂基片上，以SiO2作为掩模制作光波导，形成铌酸锂芯片；步骤2：以光波导表面两侧的SiO2掩模作为套刻标记进行电极图形套刻；步骤3：去除位于电极区的SiO2掩模;步骤4：在铌酸锂芯片暴露表面上镀制金属薄膜；步骤5：将镀制好金属薄膜的铌酸锂芯片浸入剥离液中，去除铌酸锂基片表面上的光刻胶以及光刻胶表面覆盖的金属薄膜，清洁铌酸锂芯片表面；步骤6：采用腐蚀液去除铌酸锂芯片表面剩余的SiO2掩模，完成电极制作。
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