[发明专利]石蜡浴加热挥硅检测多晶硅中杂质的预处理方法无效
| 申请号： | 201310285534.9 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103364259A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;刘瑶;刘鑫业 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/44 | 分类号： | G01N1/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅杂质检测预处理方法，具体涉及一种石蜡浴加热挥硅检测多晶硅中杂质的预处理方法，将多晶硅样品加入PTFE烧杯中，依次加入甘露醇、氢氟酸和硝酸，反应至多晶硅样品完全消解，然后在水浴加热锅中加入石蜡，将PTFE烧杯放入石蜡中加热挥硅、酸度调节后定容，最后检测多晶硅中的杂质含量。本发明的优点在于：（1）由于可以最大限度的保留硼元素，可以使多晶硅中硼元素其它杂质元素同时检测，不需要再单独对硼元素检测；（2）PTFE烧杯内液体受热均匀，易于精确控制挥硅温度；（3）硼元素保留作用明显，硼元素的回收率可从80～82%提升至95%以上；（4）方法简单易于操作，缩短了检测时间及检测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 石蜡 加热 检测 多晶 杂质 预处理 方法 | ||
【主权项】：
一种石蜡浴加热挥硅检测多晶硅中杂质的预处理方法，将多晶硅样品加入PTFE烧杯中，依次加入甘露醇、氢氟酸和硝酸，反应至多晶硅样品完全消解，然后低温挥硅、酸度调节后定容，最后检测多晶硅中的杂质含量，其特征在于低温挥硅步骤按照以下方法进行：在水浴加热锅中加入石蜡，然后将PTFE烧杯放入石蜡中加热。
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