[发明专利]一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法有效

专利信息
申请号: 201310285533.4 申请日: 2013-07-08
公开(公告)号: CN103344604A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 戴灵恩;冯锡淇;吴承;徐权;陆晟;丁栋舟;唐佳;杨建华 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: G01N21/35 分类号: G01N21/35
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 何葆芳
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法,所述方法是首先建立相同尺寸、相同晶向的各标准品的红外吸收光谱在扣除“本底”后、在波数为2000~3000cm-1区域内的谱线所对应的峰位面积与铈离子浓度的标准关系曲线,然后通过测定相同尺寸和晶向的待测同质晶体样品的红外吸收谱,最后根据所建立的标准关系曲线直接得到待测样品中的铈离子浓度。本发明方法不需要每次测试都要对样品进行破坏性操作,是一种方便、快捷、非破坏性的创新测试方法,对掺铈闪烁晶体的性能分析和研究具有重要意义,同时也对测定其它稀土掺杂闪烁材料中的掺杂离子的浓度测定具有参考价值。
搜索关键词: 一种 测定 闪烁 晶体 离子 浓度 方法
【主权项】:
一种测定掺铈闪烁晶体中铈离子浓度的方法,其特征在于,包括如下步骤:a)制备若干掺杂浓度的掺铈闪烁晶体标准品及未掺杂铈的同质纯闪烁晶体标准品;b)按相同尺寸、相同晶向裁切步骤a)所制备的各标准品;c)沿长度方向测试步骤b)所裁切的各标准品的红外吸收光谱;d)以未掺杂铈的同质纯闪烁晶体标准品的红外吸收光谱为“本底”,计算每个掺铈闪烁晶体标准品的红外吸收光谱在扣除“本底”后、在波数为2000~3000cm‑1区域内的谱线所对应的峰位面积;e)采用现有测试方法对进行上述红外测试后的各掺铈闪烁晶体标准品进行铈离子浓度测定;f)建立峰位面积与铈离子浓度的标准关系曲线;g)与步骤b)相同尺寸、相同晶向裁切待测同质晶体样品,沿长度方向测试其红外吸收光谱,并计算其红外吸收光谱在扣除“本底”后、在波数为2000~3000cm‑1区域内的谱线所对应的峰位面积,然后根据步骤f)所建立的标准关系曲线即得待测同质晶体样品中的铈离子浓度。
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