[发明专利]一种高导电性氟化石墨烯薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201310242702.6 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103350992A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘长江;连榕 | 申请（专利权）人： | 厦门烯成新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/00 | 分类号： | C01B31/00 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人： | 赖开慧 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高导电性氟化石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将石墨烯薄膜放入真空管式炉，并保持真空管式炉温度为200℃；向所述真空管式炉通入氩气，氩气流量为2000sccm；通入1至10sccm预处理的氟化氙蒸汽1至10min；通入氩气至一个大气压，并将真空管式炉降温至室温，取出形成的高导电性氟化石墨烯薄膜产品。本发明所述的制备方法，通过将石墨烯薄膜放入真空管式炉并保温在200℃；向所述真空管式炉通入氩气作为保护气氛；然后，通入预处理过的氟化氙蒸汽并保持一定时间，使其与石墨烯薄膜进行反应；通入氩气至一个大气压，并将真空管式炉降温至室温，取出形成的高导电性氟化石墨烯薄膜产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电性 氟化 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高导电性氟化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将石墨烯薄膜放入真空管式炉，并保持真空管式炉温度为200℃；向所述真空管式炉通入氩气，氩气流量为2000sccm；通入1至10sccm预处理的氟化氙蒸汽1至10min；通入氩气至一个大气压，并将真空管式炉降温至室温，取出形成的高导电性氟化石墨烯薄膜产品。
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