[发明专利]用于流水线型模数转换器的模拟参考电平缓冲器有效

专利信息
申请号: 201310239740.6 申请日: 2013-06-17
公开(公告)号: CN104242937B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 朱红卫;赵郁炜 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种用于流水线型模数转换器的模拟参考电平缓冲器,流水线型模数转换器的子模数转换器的输出电平包括3个高中低的模拟参考电平,模拟参考电平缓冲器包括三个缓冲器并分别用于对3个模拟参考电平提供缓冲。三个缓冲器都分别由折叠式共源共栅放大器和源极跟随器组成,折叠式共源共栅放大器的一个输入端连接对应的模拟参考电平,折叠式共源共栅放大器的输出端接到源极跟随器的输入端,源极跟随器的输出端反馈到折叠式共源共栅放大器的另一个输入端。本发明能使流水线型模数转换器的子模数转换器的三个模拟参考电平在保持电压基本不变的同时提高该三个模拟参考电平驱动开关的能力。
搜索关键词: 用于 流水 线型 转换器 模拟 参考 电平 缓冲器
【主权项】:
一种用于流水线型模数转换器的模拟参考电平缓冲器,流水线型模数转换器的子模数转换器的输出电平包括3个模拟参考电平,第一模拟参考电平为高电平,第二模拟参考电平为共模电平,第三模拟参考电平为低电平,所述第一模拟参考电平大于所述第二模拟参考电平,所述第二模拟参考电平大于所述第三模拟参考电平;其特征在于:模拟参考电平缓冲器包括第一缓冲器、第二缓冲器和第三缓冲器;所述第一缓冲器用于为所述第一模拟参考电平提供缓冲并提高所述第一模拟参考电平的驱动能力,所述第一缓冲器包括第一折叠式共源共栅放大器和第一源极跟随器;所述第一折叠式共源共栅放大器包括:由第一NMOS管和第二NMOS管组成的共源输入管,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极连接并接一电流源,所述第一NMOS管的栅极接所述第一模拟参考电平;由第一PMOS管和第二PMOS管组成的共栅放大管,所述第一PMOS管的源极连接所述第一NMOS管的漏极,所述第二PMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极接相同偏置电压,所述第二PMOS管的漏极为所述第一折叠式共源共栅放大器的输出端,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极都分别连接电流源、漏极都分别连接有源负载;所述第一源极跟随器包括第三PMOS管,所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极,所述第三PMOS管的源极作为所述第一缓冲器的输出端并输出所述第一模拟参考电平缓冲信号,所述第三PMOS管的源极还反馈连接到所述第二NMOS管的栅极,所述第三PMOS管的源极连接一电流源,所述第三PMOS管的漏极接地;所述第二缓冲器用于为所述第二模拟参考电平提供缓冲并提高所述第二模拟参考电平的驱动能力,所述第二缓冲器包括第二折叠式共源共栅放大器和第二源极跟随器;所述第二折叠式共源共栅放大器包括:由第三NMOS管和第四NMOS管组成的共源输入管,所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极连接并接一电流源,所述第三NMOS管的栅极接所述第二模拟参考电平;由第四PMOS管和第五PMOS管组成的共栅放大管,所述第四PMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极,所述第五PMOS管的源极连接所述第四NMOS管的漏极,所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的栅极接相同偏置电压,所述第五PMOS管的漏极为所述第二折叠式共源共栅放大器的输出端,所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的源极都分别连接电流源、漏极都分别连接有源负载;所述第二源极跟随器包括第五NMOS管,所述第五NMOS管的栅极连接所述第五PMOS管的漏极,所述第五NMOS管的源极作为所述第二缓冲器的输出端并输出所述第二模拟参考电平缓冲信号,所述第五NMOS管的源极还反馈连接到所述第四NMOS管的栅极,所述第五NMOS管的源极连接一电流源,所述第五NMOS管的漏极接电源电压;所述第三缓冲器用于为所述第三模拟参考电平提供缓冲并提高所述第三模拟参考电平的驱动能力,所述第三缓冲器包括第三折叠式共源共栅放大器和第三源极跟随器;所述第三折叠式共源共栅放大器包括:由第六PMOS管和第七PMOS管组成的共源输入管,所述第六PMOS管和所述第七PMOS管的源极连接并接一电流源,所述第六PMOS管的栅极接所述第三模拟参考电平;由第六NMOS管和第七NMOS管组成的共栅放大管,所述第六NMOS管的源极连接所述第六PMOS管的漏极,所述第七NMOS管的源极连接所述第七PMOS管的漏极,所述第六NMOS管和所述第七NMOS管的栅极接相同偏置电压,所述第七NMOS管的漏极为所述第三折叠式共源共栅放大器的输出端,所述第六NMOS管和所述第七NMOS管的源极都分别连接电流源、漏极都分别连接有源负载;所述第三源极跟随器包括第八NMOS管和第九NMOS管,所述第八NMOS管的栅极连接所述第七NMOS管的漏极,所述第八NMOS管的源极作为所述第三缓冲器的输出端并输出所述第三模拟参考电平缓冲信号,所述第八NMOS管的源极还反馈连接到所述第七PMOS管的栅极,所述第八NMOS管的源极连接一电流源,所述第八NMOS管的漏极连接所述第九NMOS管的源极,所述第九NMOS管的漏极接电源电压、栅极通过一电阻接电源电压。
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