[发明专利]具有在超过特定离子线性能量传递（LET）值时自动去活的集成电路有效
| 申请号： | 201310237345.4 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103514945B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | R·C·鲍曼 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了集成电路以及制造和操作方法，其中响应感测电路内单个事件锁定条件的检测，选择性地禁用IC的用户电路，其中感测电路易于响应在具体线性能量传递水平的离子辐射而锁定。 | ||
| 搜索关键词： | 线性能量传递 感测电路 集成电路 单个事件 离子辐射 锁定条件 用户电路 响应 禁用 离子 锁定 检测 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，其包括：至少一个感测电路，其响应于暴露于在预定线性能量传递水平即预定LET水平的所述集成电路的离子辐射而仅仅对单个事件锁定SEL敏感；暴露检测电路，其可操作以感测所述至少一个感测电路中特定且预定LET的离子引起的单个事件锁定SEL条件的出现，并响应所述至少一个感测电路中的所述单个事件锁定SEL条件的检测而提供输出信号；和去活电路，其接收来自所述暴露检测电路的所述输出信号，并可操作以响应所述暴露检测电路的输出信号而选择性地禁用所述集成电路的用户电路的操作，其中所述感测电路被配置为通过调整衬底的抽头密度、所述暴露检测电路的温度、衬底电阻、衬底掺杂或其任何组合来检测特定水平的离子线性能量传递即离子LET。
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