[发明专利]SiC柔性场发射阴极材料

摘要

一种制备SiC柔性场发射阴极材料的方法，其包括以下具体步骤(1)有机前驱体聚硅氮烷于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎(2)选择碳布为柔性衬底，在0.05mol/LCo(NO3)2乙醇溶液中浸渍并超声处理10s，然后自然晾干备用；(3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的碳布衬底分别置于石墨坩埚底部和顶端(4)将石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在氮氩混合气氛保护下加热至1500～1550℃进行高温热解；(5)随炉冷却至室温，实现以碳布为衬底的柔性SiC准定向纳米阵列的制备(6)将SiC准定向纳米阵列结构用作场发射阴极进行场发射性能检测和分析。所制备的SiC场发射阴极材料具有良好的柔性和优异的场发射性能，有望应用在柔性显示和小型x射线管等领域。

主权项

一种制备SiC柔性场发射阴极材料的方法，其包括以下具体步骤：1)有机前驱体聚硅氮烷在气氛烧结炉中于260℃、N2氛围下保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；2)选择碳布为柔性衬底，在0.05mol/LCo(NO3)2乙醇溶液中浸渍并超声处理10秒钟，取出后自然晾干备用；3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的碳布衬底分别置于石墨坩埚的底部和顶部；4)将石墨坩埚置于气氛烧结炉中，先抽真空至10‑4Pa，再在恒定压力为一个大气压的N2∶Ar的体积比为5∶95的氮氩混合气氛，保护下加热至1550℃进行热解，其中保护下加热为：以40℃/min的速率从室温快速升温至1450℃后，再以25℃/min的速率升温至热解温度1550℃；5)随炉冷却至室温，实现以碳布为衬底的柔性SiC准定向纳米阵列的制备；6)将SiC准定向纳米阵列结构用作场发射阴极进行场发射性能检测和分析。