[发明专利]SRAM单元

摘要

一种SRAM单元，包括具有交叉耦接形成的第一、第二存储节点的第一反相器和第二反相器，第一、第二传输晶体管的栅极与第一字线电连接，第三、第四传输晶体管的栅极与第二字线电连接，第五、第六传输晶体管的栅极与第三字线电连接；第一、第二传输晶体管的源极分别电连接第一位线、第二位线；第三、第四传输晶体管的源极分别电连接第三位线、第四位线；第五、第六传输晶体管的源极分别电连接第五位线、第六位线。第一、第三和第五传输晶体管的漏极与第一存储节点电连接，第二、第四和第六传输晶体管的漏极与第二存储节点电连接。这大大提高了SRAM的读写速率。

主权项

一种SRAM单元，其特征在于，包括：第一反相器，所述第一反相器包括第一上拉PMOS晶体管和第一下拉NMOS晶体管；第二反相器，所述第二反相器包括第二上拉PMOS晶体管和第二下拉NMOS晶体管，所述第二反相器与第一反相器交叉耦接形成第一存储节点和第二存储节点；第一传输晶体管和第二传输晶体管，所述第一传输晶体管的栅极、第二传输晶体管的栅极与第一字线电连接，所述第一传输晶体管的漏极与第一存储节点电连接，所述第一传输晶体管的源极与第一位线电连接，所述第二传输晶体管的漏极与第二存储节点电连接，所述第二传输晶体管的源极与第二位线电连接；第三传输晶体管和第四传输晶体管，所述第三传输晶体管的栅极、第四传输晶体管的栅极与第二字线电连接，所述第三传输晶体管的漏极与第一存储节点电连接，所述第三传输晶体管的源极与第三位线电连接，所述第四传输晶体管的漏极与第二存储节点电连接，所述第四传输晶体管的源极与第四位线电连接；第五传输晶体管和第六传输晶体管，所述第五传输晶体管的栅极、第六传输晶体管的栅极与第三字线电连接，所述第五传输晶体管的漏极与第一存储节点电连接，所述第五传输晶体管的源极与第五位线电连接，所述第六传输晶体管的漏极与第二存储节点电连接，所述第六传输晶体管的源极与第六位线电连接；第一上拉PMOS晶体管和第一下拉NMOS晶体管的共用栅极，第二上拉PMOS晶体管和第二下拉NMOS晶体管共用栅极；第一传输晶体管与第一下拉NMOS晶体管共用漏极，第四传输晶体管与第二下拉NMOS晶体管共用漏极；第五传输晶体管与第三传输晶体管共用漏极，第六传输晶体管与第二传输晶体管共用漏极，利用第三传输晶体管所在的有源区的空间来布置第五传输晶体管，利用第二传输晶体管所在的有源区的空间来布置第六传输晶体管，从而引入的第五传输晶体管和第六传输晶体管不会额外扩展晶圆的尺寸。