[发明专利]卤氧化铋-氧化钛纳米管阵列复合光催化薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310219791.2 申请日: 2013-06-05
公开(公告)号: CN103285891A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 赵建玲;王西新;杨静;徐幸如;杨盛英 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: B01J27/06 分类号: B01J27/06;C25D11/26;B82Y40/00
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300401 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于光催化领域,为一种卤氧化铋-氧化钛纳米管阵列复合光催化薄膜的制备方法。该方法先采用阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列薄膜,然后通过真空浸渍,使铋离子进入纳米管中,最后用含卤离子的溶液作沉淀剂,卤离子与铋离子反应生成卤氧化铋,卤氧化铋在二氧化钛纳米管阵列的纳米管内部和表面沉积,从而得到卤氧化铋-氧化钛纳米管阵列复合光催化薄膜。本发明将氧化钛纳米管阵列和卤氧化铋的优点结合在一起,使用方便,光催化性能好,可调性大、可控性强,通过改变铋离子浓度等可以制备不同卤氧化铋负载量的复合光催化薄膜。
搜索关键词: 氧化 纳米 阵列 复合 光催化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种卤氧化铋‑氧化钛纳米管阵列复合光催化薄膜的制备方法,其特征为包括以下步骤:按质量比乙二醇:去离子水=4:1将乙二醇和去离子水混合,再加入氟化铵,得到质量百分浓度为0.25%的氟化铵溶液;把氟化铵溶液加入反应容器中,钛片作阳极,铂片作阴极,在40℃、40V条件下阳极氧化3小时,氧化过程始终进行搅拌;反应结束后,将氧化后的钛片即样片用去离子水清洗,烘干,460℃退火2小时;将退火后的样片放入容器中,向其中加入0.1‑0.5M硝酸铋的醋酸水溶液,使其完全浸没样片,减压至10kPa以下真空浸渍60min;然后将样片取出,再浸入0.1‑0.3M NH4X的醋酸铵水溶液中,常温静置5h;最后将样片从NH4X溶液中取出,用去离子水充分清洗,在110℃烘干1h,即制得BiOX‑TiO2纳米管阵列复合光催化薄膜;其中,X=Cl、Br或I。
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