[发明专利]一种组织培养快速繁育盆栽香石竹的方法有效
| 申请号： | 201310201003.7 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103262796A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 马建华;冯爱云;罗丽君;晏强;王小辉 | 申请（专利权）人： | 巴中市光雾山植物研究所 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 636600 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种组织培养快速繁育盆栽香石竹的方法，包括以下步骤：切取外植体并灭菌；初代培养：初代培养基为MS+6-BA1.5mg/L+NAA0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂8g/L；继代培养：继代培养基为MS+6-BA0.8mg/L+NAA0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂8g/L；生根培养：生根培养基为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L+蔗糖30g/L+琼脂8g/L；洗掉培养基后保持温度和湿度进行炼苗移植。本发明简便易行、程序简单、工效高，能有效保持亲本的优良性状，该方法提高了组培苗的分化率，具有增殖速度快，生根率高、成活率高，成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组织培养 快速 繁育 盆栽 石竹 方法 | ||
【主权项】：
一种组织培养快速繁育盆栽香石竹的方法，其特征在于：它包括以下步骤：S1：切取外植体并灭菌；S2：初代培养：将灭菌后的侧芽切割成直径为1.5～2.5cm的带芽茎段，接种于初代培养基中培养，其中，初代培养基为MS+6‑BA1.5mg/L+NAA 0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂8g/L，培养条件为：光照强度1800～2200LX，光照时间15～20h，温度23～25℃，培育时间30～60d，初代培养可诱导丛生芽产生；S3：继代培养：切割丛生芽，分成直径为1.5～2.5cm的带芽茎段，接种于继代培养基中培养，继代培养基为MS+6‑BA0.8mg/L+NAA0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂8g/L，培育时间为25～45d；S4：生根培养：将增殖后的不定芽转接于生根培养基中培养，生根培养基为MS+NAA 0.2mg/L+IAA 0.1mg/L+蔗糖30g/L+琼脂8g/L，培育时间为5～7d，生根培养后得到生根强壮的香石竹组培苗；S5：炼苗移植：将生根的组培苗丛培养室取出，置于室外培养2～5d，洗掉组培苗上的培养基，保持温度和湿度，分别为18～28℃、55～65%，移植于基质中。
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