[发明专利]磁记录介质及磁存储装置有效
| 申请号： | 201310198498.2 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103456320A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 高星英明;网屋大辅;酒井浩志 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/48 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁记录介质及磁存储装置，其目的在于提高记录容量。该磁记录介质具有依次堆叠取向控制层、下层记录层、中间层及上层记录层的结构，下层记录层具有比上层记录层更高的矫顽力，中间层包括含有磁性材料的饱和磁化强度大于等于50emu/cc的层，上层记录层连同构成中间层的晶体粒子均包括沿厚度方向连续的柱状晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，其特征在于，所述磁记录介质具有依次堆叠取向控制层、下层记录层、中间层及上层记录层的结构，所述下层记录层具有比所述上层记录层更高的矫顽力，所述中间层包括含有磁性材料的饱和磁化强度大于等于50emu/cc的层，所述上层记录层连同构成所述中间层的晶体粒子均包括沿厚度方向连续的柱状晶体。
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