[发明专利]一种宽带高性能同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法有效
| 申请号： | 201310187995.2 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103326101A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 张猛;姜万顺;文春华;李红伟;李鸽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种宽带高性能同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其中，同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配采用金带包裹并热压焊的方式。采用上述方案，使同轴-微带的转接在DC-67GHz宽频带内射频性能优良，而且提高了该转接的可靠性和稳定性，保证其顺利通过各项环境实验，易于生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 性能 同轴 陶瓷 介质 微带 转接 装配 方法 | ||
【主权项】：
一种宽带同轴‑陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，同轴‑陶瓷介质基片微带转接的装配采用金带线包裹并热压焊的方式。
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