[发明专利]可变电阻存储器件有效

专利信息
申请号: 201310187367.4 申请日: 2013-05-20
公开(公告)号: CN103915564B 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 李炯东 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 许伟群;俞波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种可变电阻存储器件包括多个单元块和多个选择单元,所述多个单元块的每个包括:多个第一线,所述多个第一线沿着第一方向彼此平行地延伸;多个第二线,所述多个第二线沿着与第一方向交叉的第二方向彼此平行地延伸;以及多个存储器单元,所述多个存储器单元包括被布置在多个第一线和多个第二线的交叉处的可变电阻层。所述多个选择单元与多个第一线耦接,并且将两个相邻的单元块耦接。
搜索关键词: 可变 电阻 存储 器件
【主权项】:
1.一种可变电阻存储器件,包括:存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括多个单元块和多个选择单元,其中,每个所述单元块包括:第一线,所述第一线沿着第一方向彼此平行地延伸;第二线,所述第二线沿着与所述第一方向交叉的第二方向彼此平行地延伸;以及存储器单元,所述存储器单元包括被布置在所述第一线和所述第二线交叉处的可变电阻层,其中,所述多个单元块包括彼此相邻的第一单元块、第二单元块和第三单元块,其中,所述多个选择单元包括:被设置在所述第一单元块与所述第二单元块之间的第一选择单元,以及被设置在所述第二单元块与所述第三单元块之间的第二选择单元,其中,所述第一选择单元分别与所述第一单元块和所述第二单元块中包括的所有第一线耦接,以及所述第二选择单元分别与所述第二单元块和所述第三单元块中包括的所有第一线耦接。
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