[发明专利]形成碱土金属氧化物抛光垫

摘要

本发明涉及一种制备含碱土金属氧化物抛光垫的方法，所述抛光垫用于对半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种进行抛光。该方法包括向气体喷射流中引入气体填充的聚合物微元件进料物流，所述聚合物微元件具有变化的密度、变化的壁厚度以及变化的粒度。该方法将气体喷射流中的聚合物微元件通入柯安达块附近，所述柯安达块具有弯曲壁，通过柯安达效应、惯性和气流阻力来分离所述聚合物微元件。然后从柯安达块的弯曲壁分离各种碱土金属氧化物组分，来清洁聚合物微元件。

主权项

一种制备含碱土金属氧化物的抛光垫的方法，所述抛光垫用于对半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种进行抛光，所述方法包括：a.将气体填充的聚合物微元件的进料物流引入气体喷射流中，所述聚合物微元件具有变化的密度、变化的壁厚度和变化的粒度，所述聚合物微元件具有分布在聚合物微元件的外表面上的含碱土金属氧化物区域，含碱土金属氧化物区域被分隔开，以覆盖所述聚合物微元件1‑40%的外表面；并且与以下组分总量超过0.1重量%的组分相结合：i)粒度大于5μm的含碱土金属氧化物颗粒；ii)覆盖了聚合物微元件超过50%的外表面的含碱土金属氧化物区域；以及iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件与含碱土金属氧化物颗粒团聚至平均簇尺寸大于120μm；b.将气体喷射流中的聚合物微元件通入柯安达块附近，所述柯安达块具有弯曲壁，通过柯安达效应、惯性和气流阻力来分离所述聚合物微元件；c.从柯安达块的弯曲壁分离i)粒度大于5μm的含碱土金属氧化物颗粒；ii)覆盖了聚合物微元件超过50%的外表面的含碱土金属氧化物区域；以及iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件与含碱土金属氧化物颗粒团聚至与聚合物微元件结合的平均簇尺寸大于120μm，来清洁聚合物微元件；d.收集聚合物微元件，小于所述聚合物微元件总量的0.1重量%的聚合物微元件与以下组分相结合：i)含碱土金属氧化物颗粒，所述含碱土金属氧化物颗粒的粒度大于5μm；ii)含碱土金属氧化物的区域，所述含碱土金属氧化物的区域覆盖所述聚合物微元件超过50%的外表面；以及iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件与含碱土金属氧化物颗粒团聚至平均簇尺寸大于120μm；以及e.向聚合物基质中插入所述聚合物微元件，形成抛光垫。