[发明专利]日光温室二次闷棚处理技术无效

专利信息
申请号: 201310158662.7 申请日: 2013-04-25
公开(公告)号: CN103271019A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 郝建朋 申请(专利权)人: 郝建朋
主分类号: A01M17/00 分类号: A01M17/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266106 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种日光温室二次闷棚处理技术,其特点包括,清洁温室;烟火闷棚,每百平方米放置一个50-70公斤的干草堆,在每个干草堆上覆盖5-10厘米厚的干锯末,再撒放0.5公斤硫磺粉,然后点燃干草堆,关闭温室7-10天;发酵翻耕,烟火闷棚后每百平方撒放1立方新鲜鸡粪,并深耕地25厘米以上;覆膜闷棚,调节土壤含水量60%左右,将地面用地膜严密覆盖,封闭温室15-20天。它解决了日光温室土壤传播病害和地下害虫发生量大,影响蔬菜产量和品质的问题,广泛适应各类日光温室使用。
搜索关键词: 日光温室 二次 处理 技术
【主权项】:
一种日光温室二次闷棚处理技术,其特征包括:清洁温室、烟火闷棚、发酵翻耕、覆膜闷棚;清洁温室,将温室内的残枝、落叶、果实等杂物清理除去,使室内净洁;烟火闷棚,先将室内轻浇一次水,再按每百平方米放置一个50‑70公斤的干草堆,在每个干草堆上覆盖5‑10厘米厚的干锯末,在干锯末上撒放0.5公斤硫磺粉,然后点燃干草堆,关闭温室7‑10天;发酵翻耕,烟火闷棚后每百平方撒放1立方新鲜鸡粪,并迅速深耕地25厘米以上;覆膜闷棚,调节土壤含水量60%左右,将地面用地膜严密覆盖,封闭温室15‑20天。
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