[发明专利]磁共振系统的控制有效
申请号: | 201310142210.X | 申请日: | 2013-04-23 |
公开(公告)号: | CN103371825A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | D.里特 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | A61B5/055 | 分类号: | A61B5/055 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 谢强 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: |
本发明描述了一种用于控制磁共振系统(1)的方法,该磁共振系统具有多个高频发射通道(S1,…,SN),经由这些高频发射通道在运行中并行发射HF脉冲串(b1,…,bN),其中针对高频发射通道(S1,…,SN)的多个,预先给定共同的参考脉冲串(bR),并且在HF脉冲优化方法(OV)中在考虑预先给定的目标磁化的条件下针对每个高频发射通道(S1,…,SN)确定发射比例因子(SF1,…,SFN),以基于参考脉冲串(bR)计算针对发射通道(S1,…,SN)的HF脉冲串(b1,…,bN)。在此,在考虑取决于发射比例因子(SF1,…,SFN)的、部件引起的B1场最大值( |
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搜索关键词: | 磁共振 系统 控制 | ||
【主权项】:
一种用于控制磁共振系统(1)的方法,该磁共振系统具有多个高频发射通道(S1,…,SN),经由这些高频发射通道在运行中并行地发射HF脉冲串(b1,…,bN),其中针对高频发射通道(S1,…,SN)的多个,预先给定共同的参考脉冲串(bR),并且在HF脉冲优化方法(OV)中在考虑预先给定的目标磁化的条件下针对每个高频发射通道(S1,…,SN)确定发射比例因子(SF1,…,SFN),以基于参考脉冲串(bR)计算针对发射通道(S1,…,SN)的HF脉冲串(b1,…,bN),其中在考虑取决于发射比例因子(SF1,…,SFN)的、部件引起的B1场最大值(max)的条件下优化发射比例因子(SF1,…,SFN)。
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