[发明专利]调制器集成型激光器元件

摘要

本发明涉及调制器集成型激光器元件。本发明的目的在于提供一种能够不产生问题地对调制器进行差动驱动的调制器集成型激光器元件。一种调制器集成型激光器元件，在同一基板（40）上形成有：具有第一下包覆层（42）的激光器部（12）、具有第二下包覆层（60）的分离部（14）和具有第三下包覆层（70）的调制部（16），其中，调制器集成型激光器元件的短尺寸方向的该第二下包覆层（60）的宽度比该第一下包覆层（42）的宽度及该第三下包覆层（70）的宽度窄。

主权项

一种调制器集成型激光器元件，在同一基板上形成有激光器部、分离部和调制部，其特征在于，所述激光器部具有：第一下包覆层，形成在所述基板上；有源层，形成在所述第一下包覆层上；第一阳极电极，形成在所述有源层的上方；以及第一阴极电极，一部分与所述第一下包覆层相接，所述分离部具有：第二下包覆层，与所述激光器部相接，形成在所述基板上；以及第一吸收层，以与所述有源层连结的方式形成在所述第二下包覆层上，所述调制部具有：第三下包覆层，与所述分离部相接，形成在所述基板上；第二吸收层，以与所述第一吸收层连结的方式形成在所述第三下包覆层上；第二阳极电极，形成在所述第二吸收层的上方；以及第二阴极电极，一部分与所述第三下包覆层相接，所述基板由半绝缘体形成，所述第一下包覆层、所述第二下包覆层和所述第三下包覆层被一体地形成，所述调制器集成型激光器元件的短尺寸方向的所述第二下包覆层的宽度比所述第一下包覆层的宽度及所述第三下包覆层的宽度窄，所述第二下包覆层由半绝缘体或载流子浓度为1×10¹⁷cm^‑3以下的层形成，所述第三下包覆层具有：所述第二吸收层的正下方的第二吸收层正下方部；以及离开部，利用从所述调制部的表面至少达到所述基板的槽，与所述第二吸收层正下方部分离地形成，沿着所述槽的壁面形成有绝缘膜，所述第二阳极电极具有：所述第二吸收层正下方部的上方的第二吸收层正上方部；槽部，沿着所述绝缘膜而形成；以及引线接合部，形成在所述离开部的上方，所述离开部与所述第二下包覆层被绝缘。