[发明专利]一种抑制二次电子放射系数的方法无效
| 申请号： | 201310126384.7 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103208408A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 武洪臣;朱彦海;赵青;王加梅;马国佳;孙刚 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 |
| 主分类号： | H01J25/34 | 分类号： | H01J25/34;H01J23/027;H01J9/14 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 李建英 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于涂层技术，涉及一种用于微波器件抑制二次电子放射系数的方法。（1）选取基体材料的功函数值，（2）根据涂层材料的功函数值选择涂层材料，涂层材料的功函数值大于基体材料的功函数值，φ涂≥φ基00.45～1.5eV（3）根据基体材料二次电子发射系数的抑制要求，在基体上将所选择的涂层材料制备成涂层。本发明通过该方法可方便快捷地确定可选的涂层材料，可节省相应的涂层制备工艺试验的工作量，进而节省了材料费用、工艺成本以及缩短试验周期。并且该方法适用于溅射沉积、电镀、化学镀等多种工艺手段在基体表面制备薄膜或涂层。涂层厚度可根据二次电子发射系数抑制幅度，在100～1500nm（视表面粗糙度）的较大范围内变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 二次电子 放射 系数 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制二次电子发射系数的方法，其特征是，（1）选取基体材料的功函数值，（2）根据涂层材料的功函数值选择涂层材料，涂层材料的功函数值大于基体材料的功函数值，φ涂≥φ基+0.45～1.5eV（3）根据基体材料二次电子发射系数的抑制要求，在基体上将所选择的涂层材料制备成涂层。
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