[发明专利]一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310111042.8 申请日: 2013-04-01
公开(公告)号: CN103194780A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 姚忠平;牛翱翔;沈巧香;胡冰;姜兆华 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法,本发明涉及钛合金表面涂层的制备方法。本发明是要解决钛合金材料太阳吸收率高,发射率低,且与基底的结合力和热稳定性差的问题。方法:一、打磨清洗钛合金;二、微弧氧化。本发明所制得的涂层外貌为白色或灰白色,均匀美观。涂层厚度达到30μm~120μm,且厚度可调,由于是原位生长,故具有结合力好,抗热震性能好的特性,并且太阳吸收率为0.35~0.6,发射率为0.8~0.95,是性能优良的低太阳吸收率高发射率热控涂层。本发明用于制备一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层。
搜索关键词: 一种 钛合金 表面 太阳 吸收率 发射 涂层 制备 方法
【主权项】:
一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法,其特征在于一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法,具体是按照以下步骤制备的:一、用砂纸打磨钛合金表面,再用丙酮清洗钛合金表面;二、将清洗后钛合金置于不锈钢电解槽的电解液中,钛合金作为阳极,不锈钢电解槽作为阴极,采用脉冲微弧氧化电源供电,在电流密度为1A/dm2~20A/dm2、正向电压为200V~800V、电源频率为50Hz~3000Hz、占空比为10%~50%,电解液的温度不超过40℃、电解液的pH值为8~13的条件下微弧氧化反应5min~60min,在钛合金表面原位生长一层低太阳吸收率高发射率陶瓷涂层,完成一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法;电解液由主成膜剂和辅助成膜剂组成,主成膜剂的浓度为5g/L~20g/L,辅助成膜剂的浓度为0.1g/L~20g/L。
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