[发明专利]一种摩擦电纳米传感器有效

专利信息
申请号: 201310105087.4 申请日: 2013-03-28
公开(公告)号: CN104076084B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 林宗宏;王中林 申请(专利权)人: 北京纳米能源与系统研究所
主分类号: G01N27/60 分类号: G01N27/60;B82Y15/00;H02N1/04
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司11283 代理人: 肖冰滨,陈潇潇
地址: 100083 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种基于电子转移机制的摩擦纳米传感器,该传感器包括第一导电元件,第一导电元件下表面接触放置的第一摩擦层,第二导电元件,第二导电元件上表面直接生长或化学键连的纳米结构物,为第二摩擦层,以及,空间保持件;其中,所述空间保持件用于使所述第一摩擦层下表面与所述第二摩擦层上表面面对面并保持一定间距;所述第一摩擦层与所述第二摩擦层能够在外力的作用下至少部分接触、并在外力撤销时通过所述空间保持件的作用而恢复原有间距,同时通过所述第一导电元件和所述第二导电元件向外输出电信号;并且,所述电信号能够在所述第二摩擦层与待探测目标物质结合后发生改变。本传感器具有自驱动、高灵敏度、便携性等优势。
搜索关键词: 一种 摩擦 纳米 传感器
【主权项】:
一种摩擦电纳米传感器,其特征在于包括:第一导电元件,第一导电元件下表面接触放置的第一摩擦层,第二导电元件,第二导电元件上表面直接生长或化学键连的纳米结构物,为第二摩擦层,以及,空间保持件;其中,所述纳米结构物为纳米线、纳米片、纳米棒、纳米管和/或纳米锥构成的纳米阵,所述空间保持件用于使所述第一摩擦层下表面与所述第二摩擦层上表面面对面并保持一定间距;所述第一摩擦层与所述第二摩擦层能够在外力的作用下至少部分接触、并在外力撤销时通过所述空间保持件的作用而恢复原有间距,同时通过所述第一导电元件和所述第二导电元件向外输出电信号;并且,所述电信号能够在所述第二摩擦层与待探测目标物质结合后发生改变。
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