[发明专利]基于反相器输入结构的分裂补偿两级运算放大器

摘要

本发明属于电子技术领域，涉及模拟集成电路中运算放大器的频率补偿技术。包括两级运放，第一级运放由NMOS管M1N、M2N、M3、M4和PMOS管M1P、M2P、M0组成，第二级运放由PMOS管M5P和NMOS管M5N组成。本发明将传统的米勒电容Cm分裂为Cm1和Cm2两部分，以此来完成运算放大器的频率补偿；其中第一频率补偿电容Cm1连接于第一级运放的输出端和整个两级运算放大器的输出端之间，第二频率补偿电容Cm2连接于第一级运放中NMOS管M2N的源极和NMOS管M4的漏极连接点与整个两级运算放大器的输出端之间。本发明非主极点与寄生参数无关，具有较强的鲁棒性，同时具有更高的单位增益带宽和输出摆率。

主权项

基于反相器输入结构的分裂补偿两级运算放大器，包括两级运放，第一级运放由NMOS管M1N、M2N、M3、M4和PMOS管M1P、M2P、M0组成，第二级运放由PMOS管M5P和NMOS管M5N组成；第一级运放中，PMOS管M0的源极接电源VDD，PMOS管M0的栅极接NMOS管M3和M4的栅极以及NMOS管M1N和PMOS管M1P的漏极，PMOS管M0的漏极PMOS管M1P和M2P的源极；PMOS管M1P和NMOS管M1N的栅极互连并作为整个两级运算放大器的反向输入端，PMOS管M2P和NMOS管M2N的栅极互连并作为整个两级运算放大器的正向输入端；PMOS管M1P和NMOS管M1N的漏极互连，PMOS管M2P和NMOS管M2N的漏极互连并作为第一级运放的输出端；NMOS管M1N的源极接NMOS管M3的漏极，NMOS管M2N的源极接NMOS管M4的漏极，NMOS管M3和M4的源极接地；第二级运放中，PMOS管M5P的源极接电源VDD，PMOS管M5P和NMOS管M5N的栅极互连并接第一级运放的输出端，PMOS管M5P和NMOS管M5N的漏极互连并作为整个两级运算放大器的输出端，NMOS管M5N的源极接地；在第一级运放的输出端和整个两级运算放大器的输出端之间连接有第一频率补偿电容Cm1；在第一级运放中NMOS管M2N的源极和NMOS管M4的漏极连接点与整个两级运算放大器的输出端之间连接有第二频率补偿电容Cm2。