[发明专利]CMOS迟滞过温保护电路有效
| 申请号： | 201310099678.5 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103199846A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 施朝霞 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 王兵;黄美娟 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | CMOS迟滞过温保护电路，包括由PNP晶体管Q0、电阻R2、电阻R3、电阻R4和PMOS开关管M11组成的核心过温控制电路1，PMOS开关管M11栅电压为保护电路输出电压Vout，所述PMOS开关管M11与电阻R4并联，并联的一端接电源电压，并联的另一端与所述电阻R3一端相连，所述电阻R3的另一端与PNP晶体管的基极相连，所述PNP晶体管Q0的发射极与电源电压相连，所述PNP晶体管Q0的集电极与所述电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端与地电压相连。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 迟滞 保护 电路 | ||
【主权项】：
CMOS迟滞过温保护电路，其特征在于：包括由PNP晶体管Q0、电阻R2、电阻R3、电阻R4和PMOS开关管M11组成的核心过温控制电路1，PMOS开关管M11栅电压为保护电路输出电压Vout，所述PMOS开关管M11与电阻R4并联，并联的一端接电源电压，并联的另一端与所述电阻R3一端相连，所述电阻R3的另一端与PNP晶体管的基极相连，所述PNP晶体管Q0的发射极与电源电压相连，所述PNP晶体管Q0的集电极与所述电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端与地电压相连。
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