[发明专利]一种采用噪声抵消技术的宽带低噪声放大器

摘要

本发明提供了一种采用噪声抵消技术的宽带低噪声放大器，其特征在于，包括平衡非平衡变压器(1)、电容交叉耦合的共栅放大级(2)和前馈噪声抵消级(3)，平衡非平衡变压器(1)的两个平衡输出端与电容交叉耦合的共栅放大级(2)的输入端直接耦合，同时与前馈噪声抵消级(3)的栅端通过电容耦合方式连接，前馈噪声抵消级(3)的漏端连接至电容交叉耦合的共栅放大级(2)的漏端。本发明的前馈噪声抵消级同时作为晶体管负载，和电容交叉耦合的共栅放大级共用直流电流，降低了功耗；而且前馈噪声抵消级提供了额外的噪声抵消路径，可以减小共栅管的噪声贡献。本发明通过共用直流电流的前馈噪声抵消级，实现了低噪声系数和低功耗。

主权项

一种采用噪声抵消技术的宽带低噪声放大器，其特征在于包括：平衡非平衡变压器(1)、电容交叉耦合的共栅放大级(2)和前馈噪声抵消级(3)；平衡非平衡变压器(1)的两个平衡输出端与电容交叉耦合的共栅放大级(2)的输入端直接耦合，同时与前馈噪声抵消级(3)的栅端通过电容耦合方式连接，前馈噪声抵消级(3)的漏端连接至电容交叉耦合的共栅放大级(2)的漏端；平衡非平衡变压器(1)的第一单端输入连接至信号源，平衡输出端2和3分别直接耦合到共栅放大级(2)的输入晶体管NM1和NM2的源级，第4端和第5端接地；电容交叉耦合的共栅放大级(2)用两个相同的N型晶体管NM1和NM2作为输入放大管，NM1和NM2的栅端分别通过大电阻R1和R2接到偏置电压vb1，电容C1的一端接NM1的源级另一端接NM2的栅极，电容C2的一端接NM2的源级另一端接NM1的栅极；前馈噪声抵消级(3)由两个相同的P型晶体管PM1和PM2组成，PM1和PM2的源级接到电源，PM1的漏极与NM1的漏极相连，PM2的漏极与NM2的漏极相连，PM1和PM2的栅极分别通过大电阻R3和R4接到偏置电压vb2；电容交叉耦合的共栅放大级(2)和前馈噪声抵消级(3)通过电容耦合，C4的两端分别接到NM1的源级和PM2的栅极，C3的两端分别接到NM2的源级和PM1的栅极。