[发明专利]一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201310093378.6 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103217460A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;文震;梅伟民;李亚光;胡亮;郭艳敏;蒋杰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，该酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米阵列构成。本发明还提供了所述酒精气体传感器的制备方法，首先采用公知的热蒸发、溅射或化学蒸发沉积镀膜技术将电极层材料沉积在绝缘基片的两端，并控制其厚度；然后利用水热法直接在绝缘基片上生长四氧化三钴纳米阵列，作为该气体传感器的传感导电体。该制备过程产物结晶性好，生产周期短，没有污染，且避免了分散或操纵纳米材料的困难，便于工业化生产；且得到的气体传感器对酒精检测有优异的灵敏度，并表现出较好的选择性、稳定性和重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 纳米 阵列 酒精 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，所述的酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，其特征在于，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米线阵列构成。
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