[发明专利]一种聚二甲基硅氧烷阵列微孔薄膜制备方法有效

专利信息
申请号: 201310092534.7 申请日: 2013-03-22
公开(公告)号: CN103231518A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 李寒松;陈晓磊;曲宁松;朱荻 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: B29C67/20 分类号: B29C67/20;B81C1/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 叶连生
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及聚二甲基硅氧烷阵列微孔薄膜制备方法,属微机电制造领域。该方法包括:步骤1、在模具下基底(11)表面涂一层SU-8-2005光刻胶形成预处理薄胶层(10);步骤2、将SU-8光刻胶涂在经过预处理的模具下基底(11)表面形成SU-8微群柱结构(9);步骤3、微群柱通道模具制作;步骤4、将微细群柱通道模具放入制膜容器(4)内并倒入PDMS胶(6);步骤5、利用抽真空的方式,使PDMS胶填充满微群柱通道完成注模;步骤6、胶体固化;步骤7、将模具上基底(7)、下基底(11)与固化的PDMS胶分离。本发明制备的微孔薄膜用于电解加工可以显著提高掩膜电解加工的定域性和微细尺度加工能力。
搜索关键词: 一种 聚二甲基硅氧烷 阵列 微孔 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种聚二甲基硅氧烷阵列微孔薄膜制备方法,其中该薄膜厚度为50‑500μm,其特征在于包括以下步骤:步骤1、模具下基底预处理:运用匀胶台在模具下基底(11)表面均匀旋涂一层厚度为1‑5μm的SU‑8‑2005光刻胶形成预处理薄胶层(10),之后进行前烘、全曝光、后烘;步骤2、微细群柱结构制备:根据所需薄膜的厚度选择对应的SU‑8光刻胶,将SU‑8光刻胶旋涂在步骤1中经过预处理的模具下基底(11)表面,在匀胶台上匀胶,之后进行前烘、掩模曝光、后烘和显影,形成SU‑8微群柱结构(9);步骤3、微群柱通道模具制作:在模具上基底(7)表面旋涂一层1‑5μm厚的SU‑8‑2005光刻胶作为结合胶(8),并将具有SU‑8微群柱结构(9)的模具下基底(11)倒放至模具上基底(7),确保SU‑8微群柱结构(9)柱体顶端与模具上基底(7)连接,并将胶烘干形成微细群柱通道模具;步骤4、倒胶:将微细群柱通道模具放入制膜容器(4)内,并倒入PDMS材料和PDMS固化剂配制的PDMS胶(6);步骤5、注模:将盛有PDMS胶的制膜容器(4)放入真空箱(1)内抽真空,使模具内部处于真空状态,当真空度达到10Pa之后卸压,由于模具内部的真空作用,使得模具内部与外界产生压力差,在压力差的作用下PDMS胶填充满微群柱通道完成注模;步骤6、胶体固化:将步骤5中制膜容器(4)放入干燥箱内保持75±5℃至PDMS胶固化完全;步骤7、脱模:将模具上基底(7)与固化的PDMS胶分离,将模具下基底(11)连同SU‑8微群柱结构(9)一起与固化的PDMS胶分离形成微孔,完成聚二甲基硅氧烷阵列微孔薄膜制备。
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