[发明专利]用于EEPROM灵敏放大器的时序控制产生电路

摘要

本发明公开了一种用于EEPROM灵敏放大器的时序控制产生电路，包括第一CMOS反相器、第二CMOS反相器、延迟电容、镜像电流和一个由NMOS组成的延迟电容的放电路径。延迟电容通过第一CMOS反相器的输出端进行充电。延迟电容的放电电流路径包括两条包括电流大小固定的镜像电流和由NMOS管组成的另一条电流路径。NMOS管的放电路径的电流大小能够随着电源的电压变化而变化，当电源电压降低并使延迟电容减少时，延迟电路的放电电流会随之减少，使电源电压在降低前后延迟电容的放电时间的差值会减少，有利于灵敏放大器的读取。

主权项

一种用于EEPROM灵敏放大器的时序控制产生电路，其特征在于，包括：由第一PMOS管和第一NMOS管连接形成的第一CMOS反相器，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的栅极相连并作为所述第一CMOS反相器的输入端，该输入端连接输入信号；所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的漏极相连并作为所述第一CMOS反相器的输出端；所述第一PMOS管的源极接电源，所述第一NMOS管的源极连接一镜像电流；第二CMOS反相器，所述第二CMOS反相器的输入端连接所述第一CMOS反相器的输出端，所述第二CMOS反相器的输出端输出输出信号；延迟电容，和所述第一CMOS反相器的输出端相连接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极连接所述第一CMOS反相器的输出端，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极连接所述输入信号；当所述输入信号为接地电压的低电平时，所述延迟电容充电；当所述输入信号为电源电压的高电平时，所述延迟电容通过由所述第一NMOS管和所述镜像电流组成的第一电流路径以及由所述第二NMOS管组成的第二电流路径放电；所述第一电流路径的放电电流固定，所述第二电流路径的放电电流大小随所述电源的电压增加而增加、以及随所述电源的电压减少而减少。