[发明专利]移位寄存器单元、栅极驱动装置及显示装置有效
申请号: | 201310065976.2 | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN103198781A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 曾勉;李小和;金在光 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种移位寄存器单元、栅极驱动装置及显示装置,提高移位寄存器的寿命。本发明的移位寄存器单元包括:第一薄膜场效应晶体管,其漏极连接第一信号端,源极连接本级输出节点,栅极连接到第一节点;第二薄膜场效应晶体管,其漏极连接第一信号端,源极连接拉高节点,栅极连接到第一节点;第三薄膜场效应晶体管,其漏极连接第二信号端,源极连接本级输出节点,栅极连接到第二节点;第四薄膜场效应晶体管,其漏极连接第二信号端,源极连接所述拉高节点,栅极连接到所述第二节点;节点电压控制模块,用于在所述移位寄存器单元处于下拉阶段时控制所述第一节点和第二节点轮流处于高电位状态。本发明提高了移位寄存器的寿命。 | ||
搜索关键词: | 移位寄存器 单元 栅极 驱动 装置 显示装置 | ||
【主权项】:
一种移位寄存器单元,其特征在于,所述移位寄存器单元包括一电容,所述电容的一端与一本级输出节点连接,所述电容的另一端与一拉高节点连接,所述移位寄存器单元还包括:第一薄膜场效应晶体管,其漏极连接第一信号端,源极连接所述本级输出节点,栅极连接到第一节点;其中,所述第一信号端在所述第一薄膜场效应晶体管导通时输出低电位信号;第二薄膜场效应晶体管,其漏极连接所述第一信号端,源极连接所述拉高节点,栅极连接到所述第一节点;其中,所述第一信号端在所述第二薄膜场效应晶体管导通时输出低电位信号;第三薄膜场效应晶体管,其漏极连接第二信号端,源极连接所述本级输出节点,栅极连接到第二节点;其中,所述第二信号端在所述第三薄膜场效应晶体管导通时输出低电位信号;第四薄膜场效应晶体管,其漏极连接所述第二信号端,源极连接所述拉高节点,栅极连接到所述第二节点;其中,所述第二信号端在所述第四薄膜场效应晶体管导通时输出低电位信号;节点电压控制模块,用于在所述移位寄存器单元处于下拉阶段时控制所述第一节点和第二节点轮流处于高电位状态。
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