[发明专利]移位寄存器单元、栅极驱动装置及显示装置有效

专利信息
申请号: 201310065976.2 申请日: 2013-03-01
公开(公告)号: CN103198781A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 曾勉;李小和;金在光 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 230011 安徽*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于提供一种移位寄存器单元、栅极驱动装置及显示装置,提高移位寄存器的寿命。本发明的移位寄存器单元包括:第一薄膜场效应晶体管,其漏极连接第一信号端,源极连接本级输出节点,栅极连接到第一节点;第二薄膜场效应晶体管,其漏极连接第一信号端,源极连接拉高节点,栅极连接到第一节点;第三薄膜场效应晶体管,其漏极连接第二信号端,源极连接本级输出节点,栅极连接到第二节点;第四薄膜场效应晶体管,其漏极连接第二信号端,源极连接所述拉高节点,栅极连接到所述第二节点;节点电压控制模块,用于在所述移位寄存器单元处于下拉阶段时控制所述第一节点和第二节点轮流处于高电位状态。本发明提高了移位寄存器的寿命。
搜索关键词: 移位寄存器 单元 栅极 驱动 装置 显示装置
【主权项】:
一种移位寄存器单元,其特征在于,所述移位寄存器单元包括一电容,所述电容的一端与一本级输出节点连接,所述电容的另一端与一拉高节点连接,所述移位寄存器单元还包括:第一薄膜场效应晶体管,其漏极连接第一信号端,源极连接所述本级输出节点,栅极连接到第一节点;其中,所述第一信号端在所述第一薄膜场效应晶体管导通时输出低电位信号;第二薄膜场效应晶体管,其漏极连接所述第一信号端,源极连接所述拉高节点,栅极连接到所述第一节点;其中,所述第一信号端在所述第二薄膜场效应晶体管导通时输出低电位信号;第三薄膜场效应晶体管,其漏极连接第二信号端,源极连接所述本级输出节点,栅极连接到第二节点;其中,所述第二信号端在所述第三薄膜场效应晶体管导通时输出低电位信号;第四薄膜场效应晶体管,其漏极连接所述第二信号端,源极连接所述拉高节点,栅极连接到所述第二节点;其中,所述第二信号端在所述第四薄膜场效应晶体管导通时输出低电位信号;节点电压控制模块,用于在所述移位寄存器单元处于下拉阶段时控制所述第一节点和第二节点轮流处于高电位状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310065976.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top