[发明专利]电流源稳定电路有效
申请号: | 201310062328.1 | 申请日: | 2007-09-06 |
公开(公告)号: | CN103149965A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 詹勋典 | 申请(专利权)人: | 普诚科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种电流源稳定电路,其系用于在温度改变的情况下稳定一电流源所输出的一电流值,该电流源的该电流值会随温度升高而上升,该电流源稳定电路包括:一电流源电路,其系用于提供一电流,该电流随温度升高而上升;一修正电路,耦接于该电流源电路,用于提供一输入电流,该输入电流随温度提高而上升;其中,该电流源电路的该电流与该输入电流相减后成为一电流源电流,该电流源电流不随温度改变而变化。本发明所述的电流源稳定电路,可以有效的节省成本以及硬件空间。 | ||
搜索关键词: | 电流 稳定 电路 | ||
【主权项】:
一种电流源稳定电路,其特征在于,其用于在温度改变的情况下稳定一电流源所输出的一电流值,该电流源的该电流值会随温度升高而上升,该电流源稳定电路包括:一电流源电路,其用于提供一电流于一输出端,该电流随温度升高而上升;一修正电路,耦接于该电流源电路,用于提供一输入电流,该输入电流随温度升高而上升,其中该修正电路包括一第三N型金属氧化物半导体、一第四N型金属氧化物半导体、一第五N型金属氧化物半导体以及一第六N型金属氧化物半导体,该第五N型金属氧化物半导体的源极耦接至该第四N型金属氧化物半导体的漏极,该第五N型金属氧化物半导体的漏极耦接至该第六N型金属氧化物半导体的源极并耦接至该电流源电路以提供该输入电流,该第六N型金属氧化物半导体的漏极耦接至一接地端,该第五N型金属氧化物半导体的栅极耦接至该第六N型金属氧化物半导体的栅极并耦接至该输出端,该第四N型金属氧化物半导体的源极耦接至该第三N型金属氧化物半导体的漏极,该第三N型金属氧化物半导体的源极耦接至该输出端,其中,该电流源电路的该电流与该输入电流随温度升高而上升的系数相同,该电流源电路包括一第一N型金属氧化物半导体、一第二N型金属氧化物半导体、一第一P型金属氧化物半导体以及一第二P型金属氧化物半导体,该第一P型金属氧化物半导体的源极耦接至该第二P型金属氧化物半导体的源极和该输出端,该第一P型金属氧化物半导体的栅极耦接至该第二P型金属氧化物半导体的栅极,该第一P型金属氧化物半导体的漏极耦接至该第一N型金属氧化物半导体的源极,该第一N型金属氧化物半导体的栅极耦接至该第二N型金属氧化物半导体的源极、该第二P型金属氧化物半导体的漏极和该第六N型金属氧化 物半导体的源极,该第一N型金属氧化物半导体的漏极耦接至该第二N型金属氧化物半导体的栅极和一電阻的一端,该第二N型金属氧化物半导体的漏极耦接至该電阻的另一端和该接地端;其中,该电流源电路的该电流与该输入电流相减后成为一电流源电流,该电流源电流不随温度改变而变化。
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